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FDMF6708N 超小型 高性能 高频的DrMOS模块

数据:

XS™DrMOS系列是飞兆新一代经全面优化的超紧凑型集成式MOSFET加驱动器功率级解决方案,适用于高电流,高频同步降压DC-DC应用.FDMF6708将一个驱动IC,两个功率MOSFET以及一个自举肖特基二极管集成到热性能增强型超紧凑6x6mm封装中。
通过集成方法,可实现完整开关功率级的驱动器,MOSFET动态性能,系统电感和功率MOSFET R DS(ON)优化.XS™DrMOS采用飞兆半导体公司的高性能PowerTrench®MOSFET技术,显着减少开关振铃,省去大多数降压转换器应用中使用的缓冲器电路。驱动器IC通过减少死区时间和传播延迟,可进一步提高性能。热警告功能会发出潜在过温情况的警告.FDMF6708N还具有可提高轻负载效率的过零检测(ZCD_EN#)功能。 FDMF6708N还提供与大量PWM控制器兼容的三态5V PWM输入。
特性
  • 超过93%的峰值效率
  • 高电流处理能力:45A
  • 高性能PQFN铜片封装
  • 三态5V PWM输入驱动器
  • 通过ZCD_EN#输入使能的二极管自动仿真(跳频模式)
  • 为过温情况提供热警告标志
  • 驱动器输出禁用功能(DISB#引脚)
  • ZCD_EN#输入和DISB#输入各自的内部上拉和下拉
  • 飞兆PowerTrench®技术MOSFET,可提供干净的电压波形并降低振铃噪声
  • 低端MOSFET中的飞兆SyncFET™(集成肖特基二极管)技术
  • 集成自举肖特基二极管
  • 实现直通保护的自适应栅极驱动时序
  • 欠压闭锁(UVLO)
  • 为实现开关频率达到1MHz而优化
  • 薄型SMD封装
  • 基于英特尔® 4.0 DrMOS标准
  • 飞兆绿色封装并符合RoHS标准

电路图、引脚图和封装图




技术文档

数据手册(1) 相关资料(2)
元器件购买 FDMF6708N 相关库存