FDMF6708N 超小型 高性能 高频的DrMOS模块
数据:
数据表:FDMF6708NCN-D.pdf
XS™DrMOS系列是飞兆新一代经全面优化的超紧凑型集成式MOSFET加驱动器功率级解决方案,适用于高电流,高频同步降压DC-DC应用.FDMF6708将一个驱动IC,两个功率MOSFET以及一个自举肖特基二极管集成到热性能增强型超紧凑6x6mm封装中。
通过集成方法,可实现完整开关功率级的驱动器,MOSFET动态性能,系统电感和功率MOSFET R DS(ON)优化.XS™DrMOS采用飞兆半导体公司的高性能PowerTrench®MOSFET技术,显着减少开关振铃,省去大多数降压转换器应用中使用的缓冲器电路。驱动器IC通过减少死区时间和传播延迟,可进一步提高性能。热警告功能会发出潜在过温情况的警告.FDMF6708N还具有可提高轻负载效率的过零检测(ZCD_EN#)功能。 FDMF6708N还提供与大量PWM控制器兼容的三态5V PWM输入。
特性 |
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- 通过ZCD_EN#输入使能的二极管自动仿真(跳频模式)
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- ZCD_EN#输入和DISB#输入各自的内部上拉和下拉
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- 飞兆PowerTrench®技术MOSFET,可提供干净的电压波形并降低振铃噪声
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- 低端MOSFET中的飞兆SyncFET™(集成肖特基二极管)技术
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电路图、引脚图和封装图