FDMF6707C 超小型高性能高频的DrMOS模块

XS™DrMOS系列是飞兆新一代经全面优化的超紧凑型集成式MOSFET加驱动器功率级解决方案，适用于高电流，高频同步降压DC-DC应用.FDMF6707C将一个驱动IC，两个功率MOSFET以及一个自举肖特基二极管集成到热性能增强型超紧凑6x6mm PQFN封装中。
通过集成驱动器和MOSFET动态性能，系统感抗和功率MOSFET R _{DS（ON） XS™DrMOS采用飞兆半导体公司的高性能PowerTrench®MOSFET技术，显着减少开关振铃，省去大多数降压转换器电路。
死区时间和传播延迟缩短的新型驱动IC进一步增强了该器件的性能。热报警功能指示潜在的过温条件.FDMF6707C还具有其他功能，比如：可提高轻负载效率的跳频模式（SMOD）以及与大量PWM控制器兼容的三态5V PWM输入。}

特性
■高于93％的峰值效率 ■高电流处理能力（50A） ■高性能PQFN铜片封装 ■三态5.0V PWM输入驱动器 ■跳频模式SMOD＃（低侧门关断）输入 ■过温条件的热报警标志 ■驱动器输出禁用功能（DISB＃引脚）） ■SMOD＃输入和DISB＃输入各自的内部上拉和下拉 ■用于获得边沿整齐的电压波形并减少振铃的飞兆半导体PowerTrench ®技术MOSFET ■低端MOSFET中的飞兆SyncFET™（集成肖特基二极管）技术 ■集成式自举肖特基二极管 ■击穿保护的自适应门驱动定时 ■欠压闭锁（UVLO） ■薄型SMD封装 ■飞兆绿色封装和ROHS认证
基于英特尔®4.0DrMOS标准

特性

■高于93％的峰值效率
■高电流处理能力（50A）
■高性能PQFN铜片封装
■三态5.0V PWM输入驱动器
■跳频模式SMOD＃（低侧门关断）输入
■过温条件的热报警标志
■驱动器输出禁用功能（DISB＃引脚））
■SMOD＃输入和DISB＃输入各自的内部上拉和下拉
■用于获得边沿整齐的电压波形并减少振铃的飞兆半导体PowerTrench ®技术MOSFET
■低端MOSFET中的飞兆SyncFET™（集成肖特基二极管）技术
■集成式自举肖特基二极管
■击穿保护的自适应门驱动定时
■欠压闭锁（UVLO）
■薄型SMD封装
■飞兆绿色封装和ROHS认证