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电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

FDMC510P -20V P沟道PowerTrench® MOSFET

数据： FDMC510Pdatasheet.pdf

产品信息

此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺已针对r
、开关性能和稳固性进行了优化。

最大值 R
= 8.0 mΩ（V
= -4.5 V, I
= -12 A
）
最大值 R
= 9.8 mΩ（V
= -2.5 V, I
= -10 A
）
最大值 R
= 13 mΩ（V
= -1.8 V, I
= -9.3 A
）
最大值 R
= 17 mΩ（V
= -1.5 V, I
= -8.3 A
）
高性能沟道技术可实现极低的R
高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
100%经过UIL测试
终端无引线且符合RoHS标准
HBM ESD能力等级> 2KV典型值

技术文档

数据手册（1）相关资料（8）

FDMC510Pdatasheet.pdf

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