FGH60N60SM_F085 600 V,60 A,1.8 V,TO-247
数据:
FGH60N60SM_F085datasheet.pdf
产品信息
飞兆半导体的新型场截止沟道 IGBT 系列采用创新型场截止沟道 IGBT 技术,为汽车充电器、光伏逆变器、UPS 和数字发电机等低导通和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。
- 最大结温: T
- =175℃
- 正温度系数,易于并联运行
- 高电流能力
- 低饱和电压: V
- = 1.8 V(典型值
- )(I
- = 60 A)
- 高输入阻抗
- 紧密的参数分布
- 符合 RoHS 标准
- 符合 AEC-Q101 汽车行业标准要求