搜索历史

清空

搜索热词

0

聊天消息
系统消息
评论与回复

查看更多

查看更多

查看更多

VIP于到期续费

登录后你可以

下载海量资料
学习在线课程
观看技术视频
写文章/发帖/加入社区

会员中心

创作中心

发布

创作活动

完善资料让更多小伙伴认识你，还能领取20积分哦，立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

FGH40T65UQDF 650 V, 40 A 场截止沟道 IGBT

数据： FGH40T65UQDFdatasheet.pdf

产品信息

安森美半导体新型场截止第 4 代 IGBT 采用创新型的场截止 IGBT 技术，可以提供优越的导通和开关性能，并且易于并联运行。
该设备非常适合谐振或软开关应用，例如感应加热、微波炉等。

最大结温： T
= 175°C
正温度系数，易于并联运行
高电流能力
低饱和电压： V
= 1.33 V（典型值） @ I
= 40 A
I
(1)部件100%检测
高输入阻抗
快速开关
紧密的参数分布
符合 RoHS 标准

技术文档

数据手册（1）相关资料（2）

FGH40T65UQDFdatasheet.pdf

元器件购买 FGH40T65UQDF 相关库存

相关阅读

芯片
ON

芯片相关文章

芯片相关下载