FGH40T65SPD 650V,40A 场截止沟道 IGBT
数据:
FGH40T65SPDdatasheet.pdf
产品信息
飞兆半导体的场截止第三代 IGBT 新系列采用新型场截止 IGBT 技术,为光伏逆变器、UPS、焊机、通讯、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。
- 最大结温:T
- = 175°C
- 正温度系数,易于并联运行
- 高电流能力
- 低饱和电压:V
- = 1.85 V(典型值)@ I
- = 40 A
- 高输入阻抗
- 快速开关
- 紧密的参数分布
- 符合 RoHS 标准
- 短路耐用性 > 5 us @ 25°C