FGH40T65SP_F085 650V、40A 场截止沟道 IGBT
数据:
FGH40T65SP_F085datasheet.pdf
产品信息
FGH40T65SPD_F085 采用新型场截止第三代 IGBT 技术,为各种低导通和开关损耗的应用在高效运转提供最佳性能,同时提供 50 V 高阻断电压和强大的高电压切换可靠性。 同时,该部件还可并行运行条件下提供杰出性能。
- 符合 AEC-Q101 标准
- 低饱和电压: V
- = 1.85 V(典型值) @ I
- = 40 A
- 部件 100% 进行动态检测(备注一)
- 短路耐用性> 5 μs @ 25 oC
- 最高结温: T
- = 175 oC
- 快速开关
- 紧密的参数分布
- 正温度系数,易于并联运行
- 与快速软恢复极快速二极管共封装
- 符合RoHS标准