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FGH40T120SMDL4 1200V、40A FS沟道IGBT

数据:

产品信息

通过采用创新的场截止沟道 IGBT技术,飞兆半导体
新型系列的场截止沟道 IGBT 可为光伏变频器、UPS、焊机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。
  • FS 沟道技术,正温度系数
  • 由于使用了开尔文发射极引脚,因此提供卓越的开关性能
  • 低饱和电压: V
  • = 1.8 V(I
  • = 40 A)
  • I
  • (1)部件100%检测
  • 高输入阻抗
  • 符合 RoHS 标准