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电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

FGH40T120SMD 1200 V 40 A场截止沟道IGBT

数据：数据表：1200 V，40 A FS沟槽IGBT

IGBT技术，飞兆半导体新型系列的场截止沟道IGBT可用于太阳能逆变器，UPS，焊机和PFC等硬开关应用提供最佳性能。

特性
FS沟道技术，正温度系数
高速开关
低饱和电压：V _CE（sat） = 1.8 V @ IC = 40 A
I _LM（ 1）部件100％检测
高输入阻抗
符合RoHS标准

电路图、引脚图和封装图

技术文档

数据手册（1）相关资料（4）

数据表：1200 V，40 A FS沟槽IGBT

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