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电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

FGH40T100SMD 1000V 40A 场截止沟道IGBT

数据：数据表：1000 V，40 A场截止沟槽IGBT

飞兆半导体的新型系列的场截止沟道IGBT采用创新的场截止沟道IGBT技术，可针对诸如UPS，焊机和PFC等硬开关应用提供最佳性能。

特性
高电流能力
低饱和电压：V _CE（sat） = 1.9V（典型值）@ I _C = 40A
高输入阻抗
快速开关
符合RoHS标准

应用
不间断电源其他工业

电路图、引脚图和封装图

技术文档

数据手册（1）相关资料（5）

数据表：1000 V，40 A场截止沟槽IGBT

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