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FGH40N60DF_F085 600 V 40 A 1.9 V TO-247

数据:

飞兆半导体的场截止IGBT新系列采用新型场截止IGBT技术,为车用充电器,逆变器及其他低导通和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。
特性
  • 最大结温:TJ = 175°C
  • 正温度系数,易于并联运行
  • 高电流能力
  • 低饱和电压:VCE(sat)= 1.7 V(典型值)@IC = 40 A
  • 高输入阻抗
  • 快速开关EOFF = 6.25 uJ / A
  • 紧密的参数分布
  • 符合RoHS标准
  • 符合AEC-Q101汽车行业标准要求

电路图、引脚图和封装图




技术文档

数据手册(1) 相关资料(2)
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