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FGH40N60SF 600 V 40 A 2.3 V TO-247

数据:

飞兆半导体的场截止IGBT系列采用新型场截止IGBT技术,为光伏逆变器,UPS,焊机和PFC等低导通和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。
特性
  • 高电流能力
  • 低饱和电压:V CE(sat) = 2.3 V @ I C = 40A
  • 高输入阻抗
  • 快速开关:E OFF = 8uJ / A
  • 符合RoHS标准
应用
  • 其他工业

电路图、引脚图和封装图




技术文档

数据手册(1) 相关资料(2)
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