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电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

FGH25N120FTDS 1200V 25A 场截止沟道IGBT

数据：数据表：FGH25N120FTDSCN-D.pdf

飞兆半导体的1200V沟道IGBT系列采用先进的场截止沟道IGBT技术，为光伏逆变器，UPS，焊机和PFC等硬开关应用提供最佳性能。

特性
高速开关
低饱和电压：V _{CE （sat）} = 1.60V @ I _C = 25A
高输入阻抗
符合RoHS标准

应用
其他工业不间断电源

电路图、引脚图和封装图

技术文档

数据手册（1）相关资料（3）

数据表：FGH25N120FTDSCN-D.pdf

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