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电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

FGH25T120SMD 1200 V、25 A 场截止沟道 IGBT

数据： FGH25T120SMDdatasheet.pdf

产品信息

通过采用创新的场截止沟道 IGBT 技术，飞兆半导体新型系列的场截止沟道 IGBT 可为太阳能逆变器、UPS、焊机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。

FS 沟道技术，正温度系数
高速开关
低饱和电压： IC = 25 A 时，VCE(sat) = 1.8 V
100% 零件 ILM(1) 测试
高输入阻抗
符合 RoHS 标准

技术文档

数据手册（1）相关资料（3）

FGH25T120SMDdatasheet.pdf

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