FPF1007 / 8/9是一些低R DS P沟道MOSFET负载开关,针对瞬态/浪涌电流控制提供了10μs,80μs和1ms压摆率导通选项。为了应对移动应用要求的趋势,最低输入工作电压已降至1.2V,输入电流泄漏现象也得到了最大限度的减少,以便延长电池寿命,而且还还专门设计了ESD保护功能,可承受最低8KV(HBM)和2KV(CDM)的电压。内部ON引脚下拉电阻可针对初始状态下器件意外导通的现象提供保护。在开关关断时可以启用输出中的片上下拉电阻,从而提供快速且稳健的输出负载放电。
特性 |
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- V IN = 5.5V时,RON = 30 m Ω(典型值型值)
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- V IN = 3.3V时,RON = 40 m Ω(典型值)
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- 固定的三种不同的导通上升时间: 10μs/80μs/ 1ms
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| 输入放电功能 V HBM和2,000V CDM
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应用 |
- 存储和外设
- 其他有线通信
- 手机
- WLAN网卡和宽带接入
- 多媒体平板电脑
- PMP / MP3播放器
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电路图、引脚图和封装图