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FGH15T120SMD 1200 V、15 A、场截止沟道 IGBT

数据:

产品信息

通过采用创新的场截止沟道 IGBT 技术,飞兆半导体新型系列的场截止沟道 IGBT 可为太阳能逆变器、UPS、焊机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。
  • FS 沟道技术,正温度系数
  • 高速开关
  • 低饱和电压: V
  • =1.8 V @ I
  • = 15 A
  • I
  • (1) 部件 100% 检测
  • 高输入阻抗
  • 符合 RoHS 标准