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电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

FGH12040WD_F155 1200 V 40 A场截止沟槽IGBT

数据：数据表：1200 V，40 A场截止沟槽IGBT

飞兆半导体的场截止第2代 IGBT新系列采用的是新颖的电场截止型IGBT技术，为低导通和开关损耗的焊接和PFC应用提供最优性能。

特性
最大结温：T _J = 175°C
正温度系数，易于并联运行
低饱和电压：V _CE（sat） = 2.3 V（典型值）@ I _C = 40
I _LM（1）部件100％检测
短路耐用性> 5 us @ 150°C
高输入阻抗
符合RoHS标准

电路图、引脚图和封装图

技术文档

数据手册（1）相关资料（2）

数据表：1200 V，40 A场截止沟槽IGBT

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