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FGD3N60LSD 600V 3A 1.2V DPAK

数据:

飞兆的绝缘栅极双极晶体管(IGBT)提供非常低的传导损耗。该器件专为极低导通压降是必需功能的应用而设计。
特性
  • 高电流能力
  • 极低饱和电压:V CE( sat) = 1.2 V(I C = 3 A时)
  • 高输入阻抗

电路图、引脚图和封装图




技术文档

数据手册(1) 相关资料(3)
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