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FGD3245G2_F085 450 V 23 A 1.3 V 320 mJ DPAK

数据:

FGB3245G2_F085和FGD3245G2是采用Fairchild的EcoSPARK®2技术设计的N沟道IGBT,有助于免去外部保护电路。该技术已针对在恶劣环境中汽车点火系统线圈的驱动进行了优化,并且该技术还能在工作温度提高时提供非常出色的V sat 和SCIS能量性能。逻辑电平栅极输入进行了ESD保护,并且具有一个集成式栅极电阻。集成式齐纳电路将IGBT的集电极 - 发射极电压钳位控制在450 V,因此能够支持具有更高火花电压的系统。
特性
  • SCIS能量= 320 mJ(需要T J = 25°C)
  • 逻辑电平栅极驱动
  • 低饱和电压
  • 符合AEC Q101标准
  • 符合RoHS标准

电路图、引脚图和封装图




技术文档

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