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FGB40N60SM 600V 40A 场截止IGBT

数据:

飞兆半导体的场截止第二代IGBT新系列采用的是新颖的电场截止型IGBT技术,为低导通和开关损耗的焊接和PFC应用提供最优性能。
特性
  • 最大结温T J = 175°C
  • 正温度系数,易于并联运行
  • 高电流能力
  • 低饱和电压:V CE(sat) = 1.9V(典型值)@ I C = 40A
  • 快速开关:E OFF = 6.5uJ / A
  • 紧密的参数分布
  • 符合RoHS标准
  • 仅红外回流焊
应用
  • 其他工业

电路图、引脚图和封装图




技术文档

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