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FGB3440G2_F085 400 V,25 A,1.30 V,335 mJ,D2PAK

数据:

产品信息

FGB3245G2_F085 和 FGD3245G2 是采用 Fairchild 的 EcoSPARK® 2 技术设计的 N 沟道 IGBT,有助于免去外部保护电路。 该技术已针对在恶劣环境中汽车点火系统线圈的驱动进行了优化,并且该技术还能在工作温度提高时提供非常出色的 V
和 SCIS 能量性能。 逻辑电平栅极输入进行了 ESD 保护,并且具有一个集成式栅极电阻。 集成式齐纳电路将 IGBT 的集电极-发射极电压钳位控制在 450 V,因此能够支持具有更高火花电压的系统。
  • 在 T
  • =25
  • C时,SCIS 能量=335 mJ。
  • 逻辑电平栅极驱动
  • 符合 AEC Q101 标准
  • 符合RoHS标准