该器件特别适合为需要1.8V至8V输入以及2.5A输出电流能力的便携式电子设备提供紧凑型功率管理。负载开关集成了一个小型N沟道功率MOSFET(Q1),在一个小型SuperSOT™ -6封装中驱动一个大型P沟道功率MOSFET(Q2)。
特性 |
- V DROP = 0.2V @ V IN = 5V,I L = 1.5A.R (ON) =0.13Ω
V DROP = 0.2 V @ V IN = 3.3V,I L = 1.2A.R (ON) =0.16Ω V DROP = 0.2V @ V IN = 2.5V,I L = 1A.R (ON) =0.18Ω |
- SuperSOT™-6封装设计(使用铜引线框架),可提供出色的热和电气能力
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应用 |
- 本产品是一般用途,适用于许多不同的ap plications。
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电路图、引脚图和封装图