该器件特别适合为需要3V至20V输入以及1.8A输出电流能力的便携式电子设备提供紧凑型功率管理。负载开关集成了一个小型N沟道功率MOSFET(Q1),在一个小型SuperSOT™ - 6封装中驱动一个大型P沟道功率MOSFET(Q2)。
特性 |
- V DROP = 0.20V @ V IN = 12V,I L = 1.5A.R (ON) =0.125Ω
V DROP = 0.20V @ V IN = 5V,I L = 1A。R (ON) =0.20Ω |
- SuperSOT™-6封装设计(使用铜引线框架),可提供出色的热和电气能力
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电路图、引脚图和封装图