FCPF600N60ZL1 N沟道SuperFET®IIMOSFET 600 V，7.4 A，600mΩ

SuperFET®IIMOSFET是安森美半导体全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和低栅极充电性能。该技术专为最小化传导损耗，提供卓越的开关性能，dv / dt速率和更高的雪崩能量而量身定制。因此，SuperFET II MOSFET非常适用于开关电源应用，如PFC，服务器/电信电源，FPD电视电源，ATX电源和工业电源应用。 650 V，TJ = 150°C 最大。 RDS（on）=600mΩ 超低栅极电荷（典型值Qg = 20 nC） 低效输出电容（典型值Coss.eff = 74 pF） 100％雪崩测试 ESD改进容量