FCP125N65S3 N沟道SuperFET®IIIMOSFET 650 V，24 A，125mΩ

SuperFET®IIIMOSFET是安森美半导体全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和低栅极充电性能。这种先进技术专为最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能和承受极高的dv / dt速率而量身定制。因此，SuperFET III MOSFET非常适用于各种小型化和高效率的电源系统。 700 V @ TJ = 150°C 典型值。 RDS（on）=105mΩ 超低栅极电荷（典型值Qg = 46 nC） 低效输出电容（典型值Coss（eff。）= 439 pF）< / li> 100％雪崩测试 符合RoHS标准