FCMT099N65S3 N沟道SuperFET

SuperFET
III MOSFET是安森美半导体全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和降低栅极电荷性能。该技术专为最小化传导损耗，提供卓越的开关性能，dv / dt速率和更高的雪崩能量而量身定制。因此，SuperFET III MOSFET非常适用于开关电源应用，如服务器/电信电源，适配器和太阳能逆变器应用.Power88封装是超薄表面贴装封装（1mm高），外形小巧，占用空间小（ 8 * 8毫米
）。采用Power88封装的SuperFET III MOSFET具有出色的开关性能，因为它具有较低的寄生源电感以及独立的电源和驱动源。 Power88提供1级湿度灵敏度（MSL 1）。 700V @ T = 150C 开尔文接触 Ulta低栅极电荷（典型值.Qg = 56 nC） 无铅超薄SMD封装 Typ。 R （on）= 87mohm 湿度灵敏度1级保证 100％雪崩测试 符合RoHS标准 < / UL>