FCP099N65S3 N沟道SuperFET
数据:
FCP099N65S3datasheet.pdf
产品信息
SuperFET III MOSFET是安森美半导体的全新高压超结(SJ)MOSFET系列,利用均衡技术实现出色的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。这种先进技术专为最大限度地减少传导损耗,提供更高的开关性能和更高的dv / dt速率而定制。因此,SuperFET III MOSFET非常适用于各种小型化和高效率的电力系统。 700 V @ TJ = 150 C 超低栅极电荷(典型值Qg = 61 nC) 低效输出电容(典型值Coss(eff。)= 544 pF) 优化电容 Typ。 R =79mΩ 100%雪崩测试 符合RoHS