FCP190N65S3R0 N沟道SuperFET

SuperFET
III MOSFET是安森美半导体的全新高压超结（SJ）MOSFET系列，利用均衡技术实现出色的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。这种先进技术专为最大限度地减少传导损耗，提供更高的开关性能和更高的dv / dt速率而定制。因此，SuperFET III MOSFET非常适用于各种小型化和高效率的电力系统。 700 V @ TJ = 150 oC 低效输出电容（典型值Coss（eff。）= 300 pF） 超低栅极电荷（典型值Qg = 33 nC） 优化电容 100％雪崩测试 符合RoHS标准 Typ。 RDS（on）=159mΩ 内部栅极电阻：0.5ohm