FCD260N65S3 N沟道SuperFET

SuperFET
III MOSFET是安森美半导体的全新高压超结（SJ）MOSFET系列，利用均衡技术实现出色的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。这种先进的技术可以最大限度地减少传导损耗，提供更高的开关性能，并承受极高的dv / dt速率。因此，SuperFET III MOSFET非常适用于各种小型化和高效率的电力系统。 700 V @ T = 150°C 低效输出电容（典型值Coss（eff。）= 248 pF） 超低栅极电荷（典型值Qg = 24 nC） 优化电容 内部栅极电阻：8.7ohm 典型值。 R =222mΩ 100％雪崩测试 符合RoHS标准 波峰焊保证