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FAN3225C_F085 双通道4 A高速

数据:

FAN3223-25系列双沟道4A栅极驱动器设计为通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲,驱动低侧开关应用中的N沟道增强MOSFET。驱动器可提供TTL或CMOS输入阈值。内部电路可使输出保持低电平状态,直到电源电压进入工作范围,从而提供欠压闭锁功能。此外,此类驱动器在A和B沟道之间提供了匹配的内部传播延迟,适用于要求具有严格计时的双门驱动应用,如同步整流器。这样还可以并联两个驱动器,从而有效地使驱动单个MOSFET的电流能力增加一倍。
FAN322X驱动器内置用于最终输出级的MillerDrive™。一双极性器件和MOSFET的组合可在MOSFET导通/关断过程的米勒平台效应期间提供高电流,以最大限度地减少开关损耗,同时提供轨到轨电压摆幅和反向电流能力。 br> FAN3223配有两个反相驱动器,而FAN3224配有两个同相驱动器。每个器件都具双独立使能引脚,而且如果未连接的话,默认为“开启”。在FAN3225中,各沟道具有极性相反的双沟道输入,允许通过使用第二输入的可选使能功能配置为同相或反相。如果一个或两个输入端均未连接,则内部电阻会偏入输入端,以便将输出端拉至低电平,以保持功率MOSFET关断。
特性
  • 符合AEC Q-100
  • 业界标准引脚排列
  • 4.5到18V工作范围
  • 5 A峰值灌电流/源电流,V DD = 12 V
  • 4.3 A灌电流/2.8 A源电流,需要V OUT = 6 V
  • 可选择TTL或CMOS输入阈值
  • 双独立驱动器的三个版本
  • 双沟道反相+使能(FAN3223)
  • 双沟道同相+使能(FAN3224)
  • 双沟道输入(FAN3225)
  • 无输入时内部电阻关闭驱动器
  • MillerDrive™技术
  • 带2.2nF负载时,典型上升/下降时间为12ns / 9ns
  • 典型传播延迟(低于20 ns)在1 ns内与其他沟道匹配
  • 8引脚3x3毫米MLP或8引脚SOIC封装
  • 并联使用沟道可使电流能力增加一倍
  • 额定环境温度为-40℃到+ 125℃

电路图、引脚图和封装图




技术文档

数据手册(1) 相关资料(3)
元器件购买 FAN3225C_F085 相关库存

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