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特性
2.0 V至6.0 V VCC操作
低输入电流：1.0 uA
最大tpd为6.5 ns，5 V
典型VOLP（输出接地反弹））VCC = 3.3 V时<0.8 V，TA = 25 C
典型VOHV（输出VOH下冲））> 2.3 V VCC = 3.3 V，TA = 25 C
支持所有的MixedMode电压操作端口
8Bit SerialIn，ParallelOut移位寄存器存储
移位和存储寄存器上的独立直接覆盖清除
移位和存储寄存器的独立时钟
CMOS器件的高抗噪性能
符合JEDEC标准定义的要求 7A
这些器件不含Pb，不含卤素/ BFR，符合RoHS标准

特性

技术文档

数据手册（1）相关资料（3）

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