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NCP349 内部低R的正过压保护电路

数据:

如果检测到错误的输入操作条件,NCP349能够断开系统与输出引脚的连接。该系统具有高达+28 V的正过压保护。
由于该器件使用内部NMOS,因此不需要外部器件,从而降低了系统成本和应用板的PCB面积。
NCP349能够由于集成的低R on 功率NMOS(65mΩ,如果输入电压超过过压阈值(OVLO)或欠压阈值(UVLO)),瞬间断开输入与输入的连接。
上电时(EN(BAR)引脚=低电平),在<中的V 超过欠压阈值后,V out 接通。
NCP349提供负向标志(FLAG(BAR))输出,警告系统发生故障。
此外,当使用1.0μF或更大的电容旁路时,器件具有ESD保护输入(15 kV空气)。
特性
  • 高达28 V的过压保护
  • On-芯片低R DS(on) NMOS晶体管:65 m
  • 过压锁定(OVLO)
  • 欠压锁定(UVLO)
  • 内部软启动
  • 警告标志(BAR)输出
  • 关闭EN(BAR)输入
  • 符合IEC61000-4-2(4级),8.0 kV(接触)和15 kV(空气)
  • ESD评级:机器模型= B,人体模型= 3
  • 这是一个无铅设备
  • 封装DFN 1.6 x 2.0 mm
应用
  • 手机,相机,数码相机,PDA和MP3播放器

电路图、引脚图和封装图




技术文档

数据手册(1) 相关资料(2)
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