NCP81075 高侧和低侧栅极驱动器 高频 180 V 4A功能

NCP81075是一款高性能双mosfet（高侧和低侧）栅极驱动IC，专为高达180 V的高压，高速驱动MOSFET而设计.NCP81075集成了驱动器IC和自举二极管并提供高达4A的驱动能力。高端和低端驱动器可独立控制，匹配典型传播延迟为3.5ns。该驱动器非常适用于高压降压应用，隔离电源，2开关和有源钳位正激转换器。该器件还可用于太阳能优化器和太阳能逆变器应用。该器件采用SO8,8引脚DFN和10引脚DFN封装，工作温度范围为-40℃至140℃。