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H11G2M 6引脚DIP高压光达林顿晶体管输出光电耦合器

数据:

H11G1M和H11G2M是光达灵顿型光耦合光电耦合器。此类器件包含与连接至光电晶体管的硅达林顿晶体管耦合的砷化镓红外线发光二极管,该二极管具有集成的基极 - 发射极电阻以优化高温特性。
特性
  • 高BV CEO
  • H11G1M最低值100 V
  • H11G2M最低值80 V
  • 对于低输入电流的高敏感度(IF = 1 mA时,最小500%CTR )
  • 高温时低漏电流(80°C时,最大100μA)
  • 安全和法规认证:
  • UL1577,4170 VAC RMS (1分钟)
  • DIN- EN / IEC60747-5-5,850 V峰值工作绝缘电压
应用
  • 消费型设备
  • 工业级电机

电路图、引脚图和封装图




技术文档

数据手册(1) 相关资料(9)
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