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N64S818HA 串行SRAM存储器 64 kb 1.8 V

数据:

安森美半导体的串行SRAM系列包括几个集成的存储器件,包括这个64 k串行访问的静态随机存取存储器,内部组织为8 k字乘8位。这些器件采用先进的CMOS技术设计和制造,可提供高速性能和低功耗。这些器件采用单芯片选择(CS)输入工作,并使用简单的串行外设接口(SPI)串行总线。单个数据输入和数据输出线与时钟一起使用以访问设备内的数据。 N64S818HA器件包含一个HOLD引脚,允许暂停与器件的通信。暂停时,输入转换将被忽略。这些器件可在-40°C至+ 85°C的宽温度范围内工作,并可提供多种标准封装产品。
特性
  • 1.7至1.95 V电源范围
  • 待机电流极低 - 低至200 nA
  • 极低的工作电流 - 低至3 mA
  • 简单的内存控制:单片机选择(CS),串行输入(SI)和串行输出(SO)
  • 灵活的操作模式:字读写,页面模式(32字页)和突发模式(完整数组)
  • 8 K x 8位组织
  • 自定时写周期
  • 内置写保护(CS高)
  • 用于暂停通讯的HOLD引脚
  • 高可靠性 - 无限制写周期
  • 符合RoHS标准的封装 - 绿色SOIC和TSSOP

电路图、引脚图和封装图




技术文档

数据手册(1) 相关资料(5)
元器件购买 N64S818HA 相关库存