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特性
Flash ROM：4096×8位能够进行板载编程宽范围（2.2到5.5V）电压源。 128字节单元可擦除 - 可写2字节单元
内存：128×9位
最短总线周期： 83.3ns（VDD时为12MHz = 2.7V至5.5V） 100ns（VDD时为10MHz = 2.2V至5.5V）注：此处的总线周期时间是指到ROM读取速度。

特性

最短总线周期：
83.3ns（VDD时为12MHz = 2.7V至5.5V）
100ns（VDD时为10MHz = 2.2V至5.5V）注：此处的总线周期时间是指到ROM读取速度。

技术文档

数据手册（1）相关资料（3）

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