TP5335 MOSFET，P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE，-350V，30 Ohm

TP5335是一款低阈值增强型（常关）晶体管，采用先进的垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力，并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性，不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于高击穿电压，高输入阻抗，低输入电容和快速的各种开关和放大应用需要切换速度。

高输入阻抗和高增益

低功率驱动器要求

Ease of并联

低连续供电和快速切换速度

出色的热稳定性

整体式源极 - 漏极二极管

免于二次故障