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2N7002VA N沟道增强模型场效应晶体管

数据:

产品信息

2N7002VA
  • 双N沟道数字MOSFET
  • 低导通电阻
  • 低栅极阈值电压
  • 低输入电容
  • 快速开关速度
  • 低输入/输出泄漏
  • 超小型表面贴装封装
  • 无铅设计/符合RoHS标准

技术文档

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