0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

BSS123 N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

数据:

产品信息

该 N 沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度 DMOS 技术生产。 这款产品专为最大限度地降低通态电阻并提供耐用、可靠的快速开关性能而设计。 BSS123 特别适合于小型伺服电动机控制、功率MOSFET栅极驱动器等低电压、低电流应用,以及其他开关应用。
  • 0.17 A, 100 V, R
  • = 6 Ω @ V
  • = 10 V
  • 0.17 A, 100 V, R
  • = 10 Ω @ V
  • = 4.5 V
  • 高密度单元设计可实现极低的 R
  • 坚固而可靠
  • 紧凑的工业标准 SOT-23 表面贴装封装

技术文档

数据手册(1) 相关资料(8)
元器件购买 BSS123 相关库存

相关阅读