ASSR-601JT-000E 汽车R²Coupler®1500V光电MOSFET

描述

ASSR-601JV / JT是一款专为汽车应用而设计的高压光电MOSFET。 ASSR-601JV / JT由AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级组成，光耦合到高压输出检测器电路。该探测器由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路组成，用于接通/断开两个分立的高压MOSFET。 Photo MOSFET通过输入LED以最小7 mA的输入电流导通（触点闭合）。 Photo MOSFET在输入电压为0.4V或更低时关闭（触点打开）。 ASSR-601JV / JT相当于1FormA机电继电器（EMR），采用16引脚SOIC封装。 Broadcom R ² 耦合器提供增强的绝缘和可靠性，可在汽车和高温工业应用中提供安全的信号隔离。

特性

• 紧凑型固态双向信号开关
• 符合AEC-Q101测试指南
• 汽车温度范围：
  • T _A =– 40° ;对于ASSR-601JV，C至+ 105°C 
  • T _A =–对于ASSR-601JT，40°C至+ 125°C
• 击穿电压，BVDSS：1500V，I _DSS = 250& A 
• 雪崩额定MOSFET
• 低关 - 状态泄漏：
  • I _OFF <1μ A在V _DS = 1000V用于ASSR-601JV
  • I _OFF <5μ A sub = 1000V，适用于ASSR-601JT 
• 导通电阻，R _DS（ON） <250Ω在I _LOAD = 10 mA
• 开启时间：T _ON <4 ms
• 关闭时间：T _OFF <0.5 ms
• 紧凑的表面贴装封装：300 mil SO-16 
• Creepage and clearance≥ 8 mm（输入 - 输出）
• 爬电距离> 5 mm（MOSFET的漏极引脚之间）
• 全球安全认证： 
  • UL 1577（5000 V _RMS / 1 min。）和CSA
  • IEC / EN / DIN EN 60747-5-5：1414VP _EAK 工作电压 

应用

• 电池绝缘电阻测量/漏电检测
• 用于传感电池的BMS飞电容拓扑结构