AFBR-S4N44P163 采用高清技术的4x4 NUV硅光电倍增管(SiPM)
数据:
AFBR-S4N44P163:4×4 NUV-HD硅光电倍增器阵列数据表
描述
AFBR-S4N44P163是一个4x4像素硅光电倍增管(SiPM)阵列,用于单光子的超灵敏精确计数。
该器件采用硅通孔(TSV)技术有效利用表面积,无需电线即可实现高封装密度。通过平铺多个阵列可以覆盖更大的探测器区域,几乎没有边缘损失。
探测器在可见光谱中具有广泛的响应,特别优化了蓝光和近紫外光。
低至紫外波长的高透明薄玻璃层保护阵列,非常适合检测来自最常见闪烁体的闪烁或Cherenkov光,如LSO,LYSO,GSO,BGO,NaI,CsI,BaF, LaBr。
功能
- 420 nm以上的高PDE超过55%
- 高填充因子(像素和平铺)
- 优秀的SPTR和CRT
- 击穿电压的均匀性(和瓷砖之间的差值<300 mV)
- 采用TSV技术,阵列是4面可用的
- 细胞间距30 x 30µ m²
- 瓷砖尺寸15.9 x 15.9 mm²
- 阵列厚度仅为1.28 mm
- 高度透明玻璃保护层
- 32背面触点,可回流焊接
- 工作温度范围从-20°C到+ 50°C
- 符合RoHS和REACH标准
应用
- X射线和伽玛射线检测
- 核医学
- 正电子发射断层扫描
- 安全性
- 物理实验