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4N55 / 883B是一款高可靠性H级双通道密封光电耦合器,采用16引脚陶瓷DIP封装。还提供镀金引线,焊接浸渍引线和各种引线形式选项。有关详细信息,请参见数据表。
该产品可在整个军用温度范围内运行和存储,也可以商品级购买,并通过MIL-PRF-38534 Class K级测试,或来自DLA SMD 5962-87679。该设备在MIL-PRF-38534认证生产线上制造和测试,并包含在DLA 合格制造商列表QML-38534中,用于混合微电路。
每个通道都包含一个GaAsP LED,它是光学耦合到集成光子探测器。通过降低基极 - 集电极电容,光电二极管和输出晶体管集电极的单独连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的百倍。
该器件适用于宽带模拟应用程序,以及TTL与LSTTL或CMOS的接口。在IF = 16mA时,电流传输比(CTR)为9%min。 18V Vcc功能将使设计人员能够将任何TTL系列与CMOS接口。基极引线的可用性允许在模拟应用中优化增益/带宽调整。 IC光电二极管的浅深度提供比传统光电晶体管耦合器更好的辐射抗扰度。
这些产品也可与晶体管基极节点相连,以提高共模抗扰度和ESD敏感性。此外,特殊要求可提供更高的CTR最小值。
该模具在一个,两个或四个通道中的封装形式为8和16引脚DIP通孔,16引脚表面安装DIP扁平封装,以及20焊盘无铅陶瓷芯片载体。大多数器件都有各种引线形式和电镀选项。有关详细信息,请参见数据表。
由于数据表中列出的每个器件的每个通道都使用相同的芯片,因此绝对最大额定值,建议的工作条件,电气规格和性能特征如下所示。所有部件的数据表数字几乎相同。由于包装的变化和限制而存在偶然的例外,并且如上所述。另外,在所有设备中使用相同的包装组装过程和材料。这些相似性为使用从一个部件获得的数据来表示其他部件的可靠性和某些有限的辐射测试结果提供了理由。