ACPL-P349-000E 2.5A输出电流SiC / GaN MOSFET和IGBT栅极驱动光电耦合器

数据： ACPL-P349和ACPL-W349：采用拉伸SO6数据表的2.5安培输出电流SiC / GaN MOSFET和IGBT栅极驱动光电耦合器

描述

Broadcom ACPL-P349是一款高速2.5A栅极驱动光电耦合器件，包含AlGaAs LED，光耦合到具有功率输出的集成电路阶段。该器件非常适合驱动用于功率转换应用的SiC / GaN（碳化硅/氮化镓）MOSFET和IGBT。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。该器件支持高轨到轨输出电压和高峰值输出电流，非常适合直接驱动额定电压高达1200V / 100A的MOSFET和IGBT。 ACPL-P349具有高绝缘电压V _IORM = 891 V _PEAK 符合IEC / EN / DIN EN 60747-5-5标准，并通过UL1577认证3750 V _RMS 1分钟。

特性

2.5A最大峰值输出电流
宽工作V _CC 范围：15至30 V
110ns最大传播延迟
50ns最大传播延迟差异
轨到轨输出电压
100-kV /μs最小共模抑制（CMR）在
V _CM = 1500 V
带迟滞的LED电流输入
I _CC = 4.2 mA最大电源电流
带滞后的欠压锁定（UVLO）保护
工业温度范围：-40°C至105°C
安全认证：
- UL认可3750 V _RMS 1分钟。
- CSA
- IEC / EN / DIN EN 60747-5-5 V _IORM = 891 V _PEAK
可用选项：
060E = IEC / EN / DIN EN 60747-5-5
500E =卷带包装选项
XXXE =无铅选项