ACNV3130-000E 采用500Mil DIP10封装的2.5安培输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器

描述

ACNV3130包含一个AlGaAs LED，它与一个带功率输出级的集成电路光耦合，可提供2.5A的最大峰值输出电流。

ACNV3130采用500 mil DIP 10封装，适合驱动高达1700V / 100A的IGBT。该封装具有宽的爬电距离和间隙，以及高功率应用所需的高强度绝缘电压。此类应用包括新兴的中压（690V）驱动器，可再生能源逆变器，牵引驱动器和电源。

ACNV3130具有行业最高的13mm爬电距离和间隙，即UL和IEC 60747-5- 5认证为V _ISO = 7.5kV _RMS 和V _IORM = 2262V _PEAK 。

特性

• 2.5最大峰值输出电流
• 2.0最大峰值输出电流
• 500 ns最大传播延迟
• 350 ns最大传播延迟差
• 40 kV /μs最小共模抑制（CMR），V _CM = 1500 V
• I _CC = 5.0 mA最大电源电流
• 带滞后的欠压锁定保护（UVLO）
• 宽工作V _CC 范围： 15至30 V
• 工业温度范围：-40°C至105°C
• 安全认证
  - UL认可7500 V _RMS 1分钟。
  - CSA
  - IEC / EN / DIN EN 60747-5-5 V _IORM = 2262 V _PEAK
• 可供选择的是：
  300 =鸥翼表面贴装选项
  500 =卷带包装选项
  XXXE =无铅选项

应用

• 高绝缘电压（690V）应用
• IGBT / MOSFET栅极驱动
• 交流和无刷直流电机驱动器
• 可再生能源逆变器
• 工业逆变器
• 开关电源用品