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HSMQ-C191-T0000 HSMQ-C191-T0000高性能ChipLED

数据:

描述

该芯片型LED采用InGaN材料技术。 AlInGaP材料能够在很宽的驱动电流范围内产生高光输出。

该封装按颜色和强度分级。

此芯片LED采用顶部发光封装。为了方便拾取和放置操作,这种芯片LED采用卷带式运输,每卷4000个单元。

此封装与红外焊接工艺兼容。

功能

•带InGaN裸片的LED
•表面贴装器件,占位面积为0603
•兼容回流焊接
• 7英寸直径卷轴上的8毫米载带胶带

应用

•背光
•指示器
 

技术文档

数据手册(1) 相关资料(6)
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