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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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WFDN320380-P41 功率放大器

功率放大器
型号： WFDN320380-P41

--- 产品参数 ---

  • 频率 32～38 GHz
  • 典型小信号增益 25dB
  • 典型输出功率 42dBm@24V
  • 典型附加效率 30%
  • 工艺类型 0.15um HEMT 技术
  • 偏置 24V，0.15A（10%
  • 使用条件 脉冲，连续被
  • 外形尺寸 2.8mm×3.4mm×0.08mm

--- 产品详情 ---

WFDN320380-P41 型芯片是一款性能优良的 32～38GHz 高功率放大器，使用 0.15um 栅长的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺制造而成。该芯片通过背面金属经通孔接地。所有芯片产品全部经 100%射频测量。WFDN320380-P41 型芯片为双电源工作，漏极电压Vds=24V 可在 32～38 GHz 内提供 41dBm 的输出功率。该芯片主要用于毫米波收发组件、无线通讯等。

WFDN320380-P41


关键技术指标
频率：32～38 GHz
典型小信号增益：25dB
典型输出功率：42dBm@24V
典型附加效率： 30%
工艺类型：0.15um HEMT 技术
偏置：24V，0.15A（10%）
使用条件：脉冲，连续被
外形尺寸：2.8mm×3.4mm×0.08mm


漏电压 28V
漏电流 5A
栅电压 -10V
栅电流 100mA
直流功耗 28W
输入信号功率 28dBm
沟道工作温度 225℃
烧结温度 310℃ 1min，N2保护
存储温度 -55～150℃


压点定义
RFin 射频信号输入端、外接 50 欧姆系统，如该压点有外加的直流电，需隔直电容
RFout 射频信号输出端、外接 50 欧姆系统、无需隔直电容
VG 放大器栅极偏置，需外接 100pF、1000pF 电容
VD1、VD2、VD3 放大器漏极偏置，需外接 100pF、1000pF 电容
GND 芯片底部与射频及直流地需良好接触

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