--- 产品参数 ---
- 超宽带频率范围 100 MHz至 40 GHz
- 衰减范围 0.5 dB 步进至 31.5 dB
- 具阻抗匹配低插入损耗 2.1 dB,最高为 18 GHz
- 衰减精度 0.10+1.0%最高 18 GHz
- 衰减精度 0.35+2.5%最高 40 GHz
- 典型步进误差 ± 0.18 dB,最高为 18 GHz
- 典型步进误差 ± 0.51 dB,最高为 40 GHz
- 高RF输入功率处理 27 dBm 平均值,30 dBm 峰值
- RF建立时间 250 ns
--- 产品详情 ---
ADRF5730BCCZN是一款硅、6 位数字衰减器,以 0.5 dB 步长提供 31.5 dB 的衰减控制范围。
该器件的工作频率范围为 100 MHz 至 40 GHz,提供优于 4.8 dB 的插入损耗和出色的衰减精度。在所有状态下,ADRF5730 具有 27 dBm(平均值)和 30 dBm(峰值)的射频(RF)输入功率处理能力。
ADRF5730 需要 +3.3 V 和 −3.3 V 双电源电压供电。该器件具有串行外设接口(SPI)、并行模式控制和互补金属氧化物半导体(CMOS)/低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制特性。
ADRF5730与ADRF5720引脚兼容,低频截止版本,工作频率范围为 9 kHz 至 40 GHz。
ADRF5730 RF 端口设计用于匹配 50 Ω 的特征阻抗。对于宽带应用,RF 传输线路上的阻抗匹配可以进一步优化高频插入损耗、回波损耗和衰减精度特性。
ADRF5730 采用符合 RoHS 标准的 24 引脚、4 mm × 4 mm、基板栅格阵列(LGA)封装,工作温度范围为 −40°C 至 +105°C。
超宽带频率范围:100 MHz至 40 GHz
衰减范围:0.5 dB 步进至 31.5 dB
具有阻抗匹配的低插入损耗
2.1 dB,最高为 18 GHz
2.9 dB,最高为 26 GHz
4.8 dB,最高为 40 GHz
具有阻抗匹配的衰减精度
±(0.10+1.0% 的衰减状态),最高 18 GHz
±(0.15+0.8% 的衰减状态),最高 26 GHz
±(0.35+2.5% 的衰减状态),最高 40 GHz
具有阻抗匹配的典型步进误差
± 0.18 dB,最高为 18 GHz
± 0.23 dB,最高为 26 GHz
± 0.51 dB,最高为 40 GHz
高输入线性度
P0.1dB 插入损耗状态:30 dBm
P0.1dB 其他衰减状态:27 dBm
IP3:50 dBm(典型值)
高RF输入功率处理:27 dBm 平均值,30 dBm 峰值
相对相位中的紧凑分布
无低频开关杂散
SPI 和并行模式控制,CMOS / LVTTL 兼容
RF建立时间(0.1 dB 最终 RF 输出):250 ns
24 引脚、4 mm × 4 mm LGA 封装
与 ADRF5720 引脚兼容,低频截止版本
应用
工业扫描仪
测试和仪器仪表
蜂窝基础设施:5G毫米波
军用无线电、雷达、电子对抗(ECM)
微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)
ADRF5473 HMC8073LP3DE
ADH939S HMC1122LP4ME
ADH941S HMC273AMS10GE
ADRF5740BCCZN HMC539ALP3E
ADRF5720BCCZN HMC802ALP3E
ADRF5721BCCZN HMC305SLP4E
ADRF5730BCCZN HMC540SLP3E
ADRF5731BCCZN HMC306AMS10E
HMC425ALP3E HMC1095LP4E
HMC1018ALP4E HMC792ALP4E
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