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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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CMPA0060002F1高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree 晶体管
型号： CMPA0060002F1

--- 产品参数 ---

  • 增益 17 dB 小信号增益
  • PSAT 3 W 典型 PSAT
  • 工作电压 28 V
  • 操作 高温操作
  • 电压 高击穿电压

--- 产品详情 ---

CMPA0060002 是一种基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与 Si 和 GaAs 晶体管相比，GaN HEMT 还提供更高的功率密度和更宽的带宽。该 MMIC 采用分布式（行波）放大器设计方法；可以在很小的空间内实现极宽的带宽。提供裸片和带有铜钨散热器的旋入式封装。

 

CMPA0060002F1


特征
17 dB 小信号增益
3 W 典型 PSAT
工作电压高达 28 V
高击穿电压
高温操作


应用
超宽带放大器
光纤驱动器
测试仪器
EMC 放大器驱动器  


CMPA0530002S
CMPA0060002F1-AMP
CMPA0060002F1
CMPA0060002F-AMP
CMPA0060002F
CMPA0060002D
CMPA0527005F
CMPA0527005F-AMP1
CGHV1F006S-AMP3
CGHV1F006S-AMP1
CGHV1F006S
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CGH40006S
CGH40006P
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CG2H40010F-AMP
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