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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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CMPA0060002D氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree
型号： CMPA0060002D

--- 产品参数 ---

  • 增益 17 dB 小信号增益
  • 工作电压 2 W 典型 PSAT 工作电压高达 28 V
  • 电压 高击穿电压
  • 操作 高温操作
  • 尺寸 尺寸 0.169 x 0.066 x 0.004 英寸

--- 产品详情 ---

Cree 的 CMPA0060002D 是一种氮化镓 (GaN) 高电子基于移动晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路（MMIC） 。 与硅相比，GaN 具有更优越的性能或砷化镓，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。GaN HEMT 还提供更高的功率密度和更宽的带宽与 Si 和 GaAs 晶体管相比。 该 MMIC 采用分布式（行波）放大器设计方法，使极宽的带宽可以在很小的空间内实现。

CMPA0060002D


 

 

特征
17 dB 小信号增益
2 W 典型 PSAT 工作电压高达 28 V
高击穿电压
高温操作
尺寸 0.169 x 0.066 x 0.004 英寸

 

 

应用
超宽带放大器
光纤驱动器
测试仪器
EMC 放大器驱动器

 

 

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