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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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CGHV1F006S-AMP3高电子迁移率晶体管 (HEMT)X波段测试板

Cree 晶体管
型号： CGHV1F006S-AMP3

--- 产品参数 ---

  • 频段 高达 15 GHz 的操作
  • 输出功率 8 W 典型输出功率
  • 增益 6.0 GHz 时 17 dB 增益
  • 增益 9.0 GHz 时 15 dB 增益
  • 校正 可应用高度 APD 和 DPD 校正

--- 产品详情 ---

CGHV1F006 是无与伦比的；专为高效设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)；高增益和宽带宽能力。该设备可部署为L；小号；C; X 和 Ku 波段放大器应用。数据表规格基于 C 波段 (5.5 – 6.5-GHz) 放大器。其他应用电路可用于 5.8 GHz – 7.2 GHz 的 C 波段和 7.9 – 8.4 GHz 和 8.5 – 9.6 GHz 的 X 波段。CGHV1F006 在 40 伏轨道电路上运行，封装在 3 毫米 x 4 毫米；表面贴装; 双扁平无引线 (DFN) 封装。在降低功率下；晶体管可在 40 V 以下至 20 V VDD 下工作；保持高增益和效率。

CGHV1F006S-AMP3

 


特征
高达 15 GHz 的操作
8 W 典型输出功率
6.0 GHz 时 17 dB 增益
9.0 GHz 时 15 dB 增益
5.8 – 7.2 GHz 的应用电路；7.9 – 8.4 GHz；和 8.5 – 9.6 GHz。
可应用高度 APD 和 DPD 校正

 

应用
大号; 小号；C; X 和 Ku 波段放大器


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